微波吸波材料的工藝流程

作者:磁晶吸波材料來源:www.sqvehn.icu日期:2019-7-2 7:46:15人氣:33
一、微波吸波材料說明:
      1、切割成形:以聚氨脂泡沫為載體按生產模具切割成形。
      2、染浸烘干:以炭黑、石墨、鐵氧體磁粉等吸收物質加膠和阻燃劑等,按配方、配比攪拌均勻,在浸泡池內反復擠壓、浸透進烘房烘干。
      3、打邊、整形:由于第二道工藝染浸烘干過程中,底部方塊尺寸會略有膨脹和變形,為到用戶手里便于整齊安裝,用靠模切方。
      4、表面噴涂:根據用戶要求,外表可噴涂淡藍色、灰白色、深藍色及其他顏色,按噴涂配料噴涂。
      5、檢驗包裝。
二、微波吸收材料工藝流程方框圖:
      影響微波暗室性能指標的因素是多元化的,也是很復雜的。在利用光線發射法和能量物理法對暗室性能進行仿真計算時,需要考慮電波的傳輸去耦,極化去耦,標準天線的方向圖因素,吸波材料本身的垂直入射性能和斜入射性能,多次反射等影響。但在實際的工程設計過程中,往往以吸波材料的性能作為暗室性能的關鍵決定因素。
三、微波暗室性能有關幾個參數的說明
      1、靜區范圍:是被測天線(或被測目標)所處的區域范圍,其區域大小應該是在使用頻率范圍內,被測天線的
      最大口徑或被測目標的大小。靜區范圍一般指一個體積區域,或長方體、或圓柱體、或球體;有時候也可以是一個暗室縱軸垂直的平面,這個平面應略大于被測目標的口徑。所謂靜區是暗室反射干擾最小區域,也就是說從暗室內壁各部位的反射能量到達這一區域最小,于是把這一區域稱為靜區,亦稱靜度。反射、干擾最小稱為“靜”。
      2、靜區反射電平:暗室性能的主要指標。定義在靜區內(被測天線處),從暗室中各個墻壁各個部位反射到達
      靜區內的能量總和Pr(實際上是反射波的振幅、相位矢量和)與沿暗室軸線入射到靜區內的直達波能量P0,二者之比的對數,稱為靜區反射電平。-般表示為: 101 gPr/P0。無限的自由空間只有直達波,無反射波,靜區反射電平為,好的暗室靜區發射電平做到為-60db。
      所以說靜區反射電平越低,也就是反射能量越少,模擬自由空間的程度越高。對天線的輻射特性:付瓣電平、靈深、3db寬度、增益、駐波比等天線參數的測量精度越高,誤差越小。
      3、場強的幅值均勻性:縱向場幅均勻性:當發射天線的能量照到接受天線的口面上,如靜區范圍長度為1m時,如圖示:
      P0為發射天線的功率,P1為接收天線靜區輻射場的前段功率,P2為接收天線靜區輻射場的后端功率。
      P1≠P2,這里有空間傳輸損耗,也有暗室吸波材料的影響,但是空間傳輸損耗是主要的,與暗室性能關系不大。
      空間傳輸損耗: A=201g f+20lgR-10 Ig Gr-101g Gt-27.6式中:為頻率,R為收發距離,Gr、Gt為收發天線的增益。假設R=7m,靜區范圍1m時,接收天線前段與后端空間傳輸損耗變化為1.1db,與暗室性能無關。由于接收天線前后移動,會引起0.3db的駐波變化。
      橫向場幅均與性:主要指待天線口面照射強度的變化,一般不超過土0.25db。(即最大值與最小值相差不超過0.5db )
      橫向場幅均與性受發射天線方向圖的影響以及暗室的小的駐波引起。待測天線口面越大,橫向場幅均與性變差,高頻待測天線口徑小,橫向場幅均與性越小,可能只有+0.1db。因為高頻天線波長短,遠場距離長
      故場強的幅值均與性主要是受收發距離和待天線口面及發射天線方向圖引起,暗室材料引起駐波,疊加在上面。在暗室靜區,沿軸移動待測試天線,要求起伏不超過士2db:在靜區的截面上,橫向和上下移動待測試天線,要求接收信號起伏不超過0.25db。
      4、多路徑損耗:它反映不同極化波的不同傳輸特性。如果吸收材料對不同極化波衰減變化差,則多路徑損耗變大。發射的雖是圓極化波但到接收處變為橢圓極化波,傳輸失真。吸收材料引起這種情況主要由于吸收材料本身幾何尺寸不對稱或設計不合理。聚氮酯泡沫角錐吸收材料幾何形狀是對稱的,對垂直極化和水平極化一致性好。多路徑損耗可做到≤+0.25db。多路徑損耗的測試是收發天線同步轉動角度看來接收能量的變化,這就是多路徑損耗。路徑損耗不均勻會使電磁波的極化旋轉,如果以來波方向旋轉待測天線,接收信號起伏不超過土0.25db,就可忽略多路徑損耗。
      5、交叉極化度:收發天線正交,是交叉極化。如果發射天線是垂直極化,接收天線是水平極化,要求正面接收能量很小。
      收發天線本身有固有的交叉極化,當暗室吸波材料性能差,對不同的極化波的吸收性能又很不--致時,會對天線交叉極化的測量帶來影響。
      影響暗室交叉極化的主要原因還是暗室高度和寬度不一致。如果暗室高度嚴格等于寬度,吸波材料布置對稱且一致性能好,暗室交叉極化可以做到35db。但是測量交叉極化時,收發天線本身固有的交叉極化要優于-35db。由于暗室結構的不嚴格對稱、吸波材料貴各種極化吸波材料的不一致性及暗室測試系統等因素使電波在暗室傳播過程中產生極化不純的現象。如果待測試天線與發射的極化面正交和平行時,所測試場強之比小于-25db,就認為交叉極化度滿足要求。
四、天線測量的誤差
      1、有限測試距離所引起的誤差:設待測的是平面天線,接收的來波沿其主波東的軸向。若二+距離大小,由待
      測天線之不同部位所接收的場不能相同,因此具有平方根律相位差。若待測天線恰位于源天線遠場區的邊界2D2/^,其口徑邊緣與相位中心的場存在22.5度的相位差。若測試距離加倍,在相位差減半。
      對于測量中等旁辯電平的天線,距離2D2/^通常已經足夠,測出的增益越偏小.06db。測試距離縮短會使測量誤差迅速增大,旁瓣會與主波束合并成肩臺式,甚至合為-體。通常0.025db的推銷使測出的增益降低約0.1db,并造成近旁瓣的些許誤差。
      2、發射:直射波受從周圍物體發射的干涉,在測試區域形成的變化,由于該波波程差作為位置的函數而迅速變化,使起伏的長度屬于波長的數量級。例如比直射波低20db的發射波,可引起-0.92~+0.93db的功率誤差,具體取決于兩種之間的差異:相位測量的誤差范圍為+5.7°,但若反射波的場比直射波低40db,則測出的幅度與相位分別僅有土0.09與*0.6°的誤差。
      發射在低旁鮮的測量中特別有害。一項很小的發射通過主瓣耦合到待測天線,可以完全掩蓋住耦合到旁瓣的直射波。如果相耦的直射和反射波強度相等,則測出旁辯電平抬高6db左右,或者在測得的波瓣圖中成為零點。
五、其他誤差:
      還可能導致天線測量產生誤差的因素有:低頻時與電抗近場的耦合可能比較顯著;測量天線的對準誤差;其他干擾信號;測試電纜所引起的誤差
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